中析研究所檢測中心
400-635-0567
中科光析科學(xué)技術(shù)研究所
公司地址：
北京市豐臺區(qū)航豐路8號院1號樓1層121[可寄樣]
投訴建議：
010-82491398
報告問題解答：
010-8646-0567
檢測領(lǐng)域：
成分分析,配方還原,食品檢測,藥品檢測,化妝品檢測,環(huán)境檢測,性能檢測,耐熱性檢測,安全性能檢測,水質(zhì)檢測,氣體檢測,工業(yè)問題診斷,未知成分分析,塑料檢測,橡膠檢測,金屬元素檢測,礦石檢測,有毒有害檢測,土壤檢測,msds報告編寫等。
發(fā)布時間：2025-04-10
關(guān)鍵詞：場效應(yīng)管檢測方法,場效應(yīng)管試驗儀器,場效應(yīng)管項檢測報價
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來源：北京中科光析科學(xué)技術(shù)研究所
因業(yè)務(wù)調(diào)整，部分個人測試暫不接受委托，望見諒。
場效應(yīng)管核心檢測項目包含三大類共12項關(guān)鍵指標(biāo)：
靜態(tài)參數(shù)：柵源閾值電壓（VGS(th)）、漏源導(dǎo)通電阻（RDS(on)）、柵極漏電流（IGSS）、體二極管正向壓降（VSD）
動態(tài)參數(shù)：開關(guān)時間（td(on)/td(off)）、反向恢復(fù)時間（trr）、輸入/輸出電容（Ciss/Coss）
可靠性指標(biāo)：高溫反偏（HTRB）壽命、溫度循環(huán)（TCT）耐受性、濕熱偏置（THB）穩(wěn)定性
本檢測體系適用于以下場效應(yīng)管類型：
| 分類維度 | 具體類型 |
|---|---|
| 材料體系 | 硅基MOSFET、碳化硅MOSFET、氮化鎵HEMT |
| 結(jié)構(gòu)類型 | 平面柵/溝槽柵MOSFET、VDMOS/橫向擴散MOSFET、結(jié)型場效應(yīng)管（JFET） |
| 功率等級 | 低壓器件（＜100V）、中壓器件（100-600V）、高壓器件（＞600V） |
| 封裝形式 | SOT-23/TO-220/D2PAK等分立封裝、功率模塊集成封裝 |
依據(jù)IEC 60747-8標(biāo)準(zhǔn)建立三級測試體系：
靜態(tài)特性測試法
采用四線制Kelvin連接消除接觸電阻影響
柵極偏置電壓按0.1V步進(jìn)掃描測量ID-VGS曲線
漏源電壓施加至額定值120%進(jìn)行擊穿特性測試
動態(tài)特性測試法
雙脈沖測試平臺構(gòu)建：脈沖寬度10μs-1ms可調(diào)
采用差分探頭測量米勒平臺持續(xù)時間
通過RG(int)/RG(ext)組合優(yōu)化開關(guān)損耗測量精度
1、咨詢：提品資料(說明書、規(guī)格書等)
2、確認(rèn)檢測用途及項目要求
3、填寫檢測申請表(含公司信息及產(chǎn)品必要信息)
4、按要求寄送樣品(部分可上門取樣/檢測)
5、收到樣品，安排費用后進(jìn)行樣品檢測
6、檢測出相關(guān)數(shù)據(jù)，編寫報告草件，確認(rèn)信息是否無誤
7、確認(rèn)完畢后出具報告正式件
8、寄送報告原件
